Аксиални демпферни кондензатори GTO

Кратко описание:

Тези кондензатори са подходящи да издържат на тежки токови импулси, които обикновено се срещат при защитата на GTO.Аксиалните връзки позволяват да се намали последователната индуктивност и осигуряват здрав механичен монтаж, надежден електрически контакт и добро топлинно разсейване на топлината, произведена по време на работа.

Изпратете имейл до нас Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Технически данни

Диапазон на работната температура	-40℃ до +85℃
диапазон на капацитета	0,1μF～5,6μF
Номинално напрежение	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Издържа на напрежение	1.5Un DC/10S
Коефициент на разсейване	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Изолационно съпротивление	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток	вижте листа с данни
Продължителност на живота	100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)
Референтен стандарт	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Приложение

1. IGBT амортизатор, GTO амортизатор

2. Широко използван в силовото електронно оборудване, когато пиковото напрежение, защитата от поглъщане на пиков ток.

Контурен чертеж

Аксиален кондензатор SMJ-TE
Волтаж		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Капацитет (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22	32	9.5	17.5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
Волтаж		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Капацитет (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15	32	10	17.5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 г	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 г	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Волтаж		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Капацитет (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 г	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 г	18.2
Волтаж		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Капацитет (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	9.5	17.5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 г	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 г	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 г	18.2
Волтаж		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Капацитет (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
Волтаж		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Капацитет (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 г	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 г	122.4	10.5
0,1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0,22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5