• bbb

Китайски кондензатори за филтриране на променлив ток с висока производителност - Аксиални GTO демпферни кондензатори – CRE

Кратко описание:


Подробности за продукта

Продуктови етикети

Свързано видео

обратна връзка (2)

можем лесно да ви предложим висококачествени продукти и решения, конкурентна цена и най-добрата поддръжка за купувачи.Нашата дестинация е „Вие идвате тук с трудности, а ние ви даваме усмивка, която да си вземете“.Снаббер филм кондензатор , DC кондензатор за медицински устройства , Филмов кондензатор за нова енергийна система, Поради превъзходно качество и конкурентна цена, ние ще бъдем лидер на пазара, моля, не се колебайте да се свържете с нас по телефона или имейл, ако се интересувате от някой от нашите продукти.
Китайски високопроизводителни кондензатори за филтриране на променлив ток на едро - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE Подробности:

Технически данни

Диапазон на работната температура Максимална работна температура. Горна, макс.: + 85 ℃ Температура от горна категория: +85 ℃ Температура от долна категория: -40 ℃
диапазон на капацитета 0,1μF~5,6μF
Номинално напрежение

630V.DC~2000V.DC

Cap.tol

±5%(J);±10%(K)

Издържа на напрежение

1.5Un DC/10S

Коефициент на разсейване

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Изолационно съпротивление

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)

Издържа на ударен ток
Продължителност на живота

100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)

Референтен стандарт

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Приложение

1. IGBT демпфер.

2. Широко използван в силовото електронно оборудване, когато пиковото напрежение, защитата от поглъщане на пиков ток.

Контурен чертеж

 

1

 

 

 

 

Аксиален кондензатор SMJ-TE
Волтаж Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9.5 17.5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Волтаж Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17.5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 г 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 г 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Волтаж Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 г 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 г 18.2

 

Волтаж Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 9.5 17.5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 г 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 г 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 г 18.2

 

Волтаж Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

Волтаж Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 г 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 г 122.4 10.5
0,1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0,22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

Снимки с подробности за продукта:

Китайски високопроизводителни кондензатори за филтриране на променлив ток на едро - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE детайлни снимки

Китайски високопроизводителни кондензатори за филтриране на променлив ток на едро - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE детайлни снимки

Китайски високопроизводителни кондензатори за филтриране на променлив ток на едро - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE детайлни снимки


Ръководство за свързани продукти:

С нашата водеща технология, в същото време с нашия дух на иновации, взаимно сътрудничество, ползи и напредък, ние ще изградим проспериращо бъдеще помежду си с вашата уважавана фирма за Китайски едро за високопроизводителни филтриращи кондензатори за променлив ток - Аксиални GTO демпферни кондензатори – CRE , Продуктът ще се доставя в цял свят, като: Цюрих, Доха, Джърси, През последните 11 години, Участвали сме в повече от 20 изложения, получаваме най-високата оценка от всеки клиент.Нашата компания винаги се стреми да предостави на клиента най-добрите продукти на най-ниска цена.Ние полагаме големи усилия, за да постигнем тази печеливша ситуация и искрено ви приветстваме да се присъедините към нас.Присъединете се към нас, покажете красотата си.Ние винаги ще бъдем вашият първи избор.Повярвайте ни, никога няма да паднете духом.
  • Продуктовото разнообразие е пълно, добро качество и евтини, доставката е бърза и транспортът е сигурен, много добро, ние сме щастливи да си сътрудничим с реномирана компания! 5 звезди От Илейн от Порто - 2017.04.08 14:55
    Качеството на продуктите е много добро, особено в детайлите, вижда се, че фирмата работи активно, за да задоволи интереса на клиентите, добър доставчик. 5 звезди От Eileen от Еквадор - 2018.10.31 10:02

    Изпратете вашето съобщение до нас:

    Напишете вашето съобщение тук и ни го изпратете

    Изпратете вашето съобщение до нас: