Фабрично произведен демпфер за мощни тиристорни устройства - Висококачествен IGBT демпферен кондензатор за приложения с висока мощност – CRE

Фабрично произведен демпфер за мощен тиристор - Висококачествен IGBT демпферен кондензатор за приложения с висока мощност – CRE Image

Кратко описание:

Детайли за продукта

Етикети на продукти

Свързано видео

Обратна връзка (2)

Разполагаме с търговски персонал, стилист и дизайнер, технически екип, екип за контрол на качеството и екип за опаковане. Имаме строги и отлични процедури за контрол за всяка система. Освен това, всички наши работници имат опит в областта на печата.Mkp кондензатор , Специално проектиран AC кондензатор , Кондензаторна банка за филтър за променлив токЩе предоставим най-ефективното качество, вероятно най-актуалната пазарно конкурентна цена, за всички нови и стари клиенти с най-добрите екологични решения.

Фабрично произведен демпфер за мощен тиристор - Висококачествен IGBT демпферен кондензатор за приложения с висока мощност – CRE Детайли:

Технически данни

Работен температурен диапазон	Максимална работна температура, горна, макс.: +105℃ Температура от горна категория: +85℃ Температура на по-ниска категория: -40℃
диапазон на капацитета	0,1 μF～5,6 μF
Номинално напрежение	700V DC～3000V DC
Кап.тол	±5% (Дж); ±10% (К)
Издържа на напрежение	1.5Un DC/10S
Коефициент на разсейване	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Изолационно съпротивление	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток	вижте информационния лист
Забавяне на горенето	UL94V-0
Продължителност на живота	100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)
Референтен стандарт	IEC61071; GB/T17702;

Таблица със спецификации

Напрежение	Un 700V DC, Urms 400V AC; Us 1050V
	Размери (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 г.	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 г.	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 г.	33
Напрежение	Un 1000V DC, Urms 500V AC; Us 1500V
	Размери (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 г.	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 г.	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 г.	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 г.	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 г.	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Напрежение	Un 1200V DC, Urms 550V AC; Us 1800V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 г.	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 г.	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 г.	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 г.	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 г.	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 г.	32
Напрежение	Un 1700V DC, Urms 575V AC; Us 2250V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 г.	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 г.	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 г.	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 г.	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 г.	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 г.	32
Напрежение	Un 2000V DC, Urms 700V AC; Us 3000V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 г.	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 г.	32
Напрежение	Un 3000V DC, Urms 750V AC; Us 4500V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 г.	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 г.	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600 г.	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Снимки на детайлите на продукта:

Свързано ръководство за продукти:

Нашите стоки са широко разпознаваеми и надеждни от крайните потребители и ще отговорят на постоянно променящите се финансови и социални нужди за фабрично произведени демпфери за високоенергийни тиристори - висок клас IGBT демпферни кондензатори за приложения с висока мощност – CRE. Продуктът ще се доставя в цял свят, като например: Мароко, Ел Салвадор, Лестър. „Добро качество и разумна цена“ са нашите бизнес принципи. Ако се интересувате от нашите продукти или имате някакви въпроси, моля, не се колебайте да се свържете с нас. Надяваме се да установим съвместни отношения с вас в близко бъдеще.

Ac филтър, използван за железопътна тягова захранваща система

Dc-Link кондензатор за индустриални инвертори

Сух тип филмов кондензатор

Фабрика за филмови кондензатори

Производител на филмови кондензатори

Глобален доставчик на кондензатори

Кондензатори за съхранение на висока енергия

IgBT демпфер

Резонансен кондензатор за средночестотна пещ

Кондензатор за захранване за DC връзка

Компанията се придържа към концепцията за работа „научно управление, високо качество и ефективност на първо място, клиентът е на първо място“ и винаги сме поддържали бизнес сътрудничество. Работейки с вас, ние се чувстваме лесно!