GTO снаббер кондензатор в силово електронно оборудване

Снаббер кондензатор GTO в силово електронно оборудване Представено изображение

Кратко описание:

Снабберните вериги са от съществено значение за диодите, използвани в комутационни вериги.Той може да спаси диод от пикове на пренапрежение, които могат да възникнат по време на процеса на обратно възстановяване.

Изпратете имейл до нас Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Технически данни

Диапазон на работната температура	Максимална работна температура. Горна, макс.: + 85 ℃ Температура от горна категория: +85 ℃ Температура от долна категория: -40 ℃
диапазон на капацитета	0,22～3μF
Номинално напрежение	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Издържа на напрежение	1.35Un DC/10S
Коефициент на разсейване	tgδ≤0,001 f=1KHz
Изолационно съпротивление	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток	вижте листа с данни
Продължителност на живота	100000h (Un; Θгореща точка≤70°C)
Референтен стандарт	IEC 61071;

Особеност

1. Mylar лента, запечатана със смола;

2. Изводи с медна гайка;

3. Устойчивост на високо напрежение, ниско tgδ, ниско покачване на температурата;

4. ниски ESL и ESR;

5. Висок импулсен ток.

Приложение

1. GTO Snubber.

2. Широко използван в силовото електронно оборудване, когато пиковото напрежение, защитата от поглъщане на пиков ток.

Типична верига

Контурен чертеж

Спецификация

Un=3000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70