Висококачествен демпфер с възможност за високо импулсно натоварване

Кратко описание:

IGBT демпфер SMJ-P

Демпфериращите филмови кондензатори CRE са проектирани за работа с висок пиков ток, необходим за защита срещу преходни напрежения.

1. висока способност за издържане на dv/dt

2. Лесна инсталация за IGBT

Изпратете имейл до нас Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Технически данни

Диапазон на работната температура	Макс. Работна температура., Отгоре, макс.: +105 ℃ Температура от горна категория: +85 ℃ Температура от по-ниска категория: -40℃
диапазон на капацитета	0.1μF～5.6μF
Номинално напрежение	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Издържа на напрежение	1.5Un DC/10S
Коефициент на разсейване	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Изолационно съпротивление	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток	вижте листа с данни
Забавяне на пламъка	UL94V-0
Продължителност на живота	100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)
Референтен стандарт	IEC61071;GB/T17702;

Таблица със спецификации

Волтаж	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Размер (мм)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Волтаж	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Размер (мм)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 г	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 г	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 г	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 г	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 г	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Волтаж	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 г	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 г	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 г	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 г	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 г	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 г	32
Волтаж	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 г	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 г	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 г	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 г	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 г	32
Волтаж	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
Волтаж	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57.5	35	50	15	25	2000 г	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800 г	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28