Полипропиленови демпферни кондензатори, използвани във високоволтови, високотокови и високоимпулсни приложения

Кратко описание:

Аксиален демпферен кондензатор SMJ-TE

Демпферните кондензатори са високотокови, високочестотни кондензатори с аксиални изводи. Аксиални филмови кондензатори се предлагат в CRE. Предлагаме наличности, цени и информационни листове за аксиални филмови кондензатори.

1. Сертифициран по ISO9001 и UL;

2. Обширна инвентаризация;

Изпратете ни имейл Изтегляне като PDF

Детайли за продукта

Етикети на продукти

Технически данни

Работен температурен диапазон	Максимална работна температура, горна, макс.: + 85℃ Температура от горна категория: +85℃ Температура от долна категория: -40℃
диапазон на капацитета	0,1 μF～5,6 μF
Номинално напрежение	630V DC～2000V DC
Кап.тол	±5% (Дж) ;±10% (К)
Издържа на напрежение	1.5Un DC/10S
Коефициент на разсейване	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Изолационно съпротивление	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток
Продължителност на живота	100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)
Референтен стандарт	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Приложение

1. IGBT демпфер, GTO демпфер

2. Основната функция на демпфера е да абсорбира енергия от реактивните съпротивления в силовата верига.

3. Широко се използва в силовото електронно оборудване, когато е необходимо пиково напрежение и защита от абсорбция на пиков ток.

Контурна рисунка

SMJ-TE аксиален кондензатор
Напрежение		Un630V.DC; Urms400Vac; Us 945V
Капацитет (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (mm±1)	φd (мм)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
Напрежение		Un 1000V DC; Urms 500V AC; Us 1500V
Капацитет (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (mm±1)	φd (мм)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350 г.	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600 г.	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440 г.	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 г.	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 г.	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974 г.	17.8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Напрежение		Un 1200V DC; Urms 550V AC; Us 1800V
Капацитет (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (mm±1)	φd (мм)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350 г.	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600 г.	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 г.	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540 г.	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 г.	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 г.	18.2
Напрежение		Un 1700V DC; Urms 600V AC; Us 2550V
Капацитет (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (mm±1)	φd (мм)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540 г.	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680 г.	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650 г.	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 г.	18.2
Напрежение		Un 2000V DC; Urms 700V AC; Us 3000V
Капацитет (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (mm±1)	φd (мм)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 г.	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540 г.	17.8
Напрежение		Un 3000V DC; Urms 750V AC; Us 4500V
Капацитет (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (mm±1)	φd (мм)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 г.	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 г.	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350 г.	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5