E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE

Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - Представено изображение на CRE
  • Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE
  • Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE
  • Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE

Кратко описание:


Изтеглете като PDF

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Свързано видео

обратна връзка (2)

Да бъде сцената на осъществяване на мечтите на нашите служители!Да изградим по-щастлив, по-сплотен и по-професионален екип!Да постигнем взаимна изгода за нашите клиенти, доставчици, обществото и себе сиPv инверторен кондензатор , Охлаждащи кондензатори , Промишлени кондензатори за продажба, горещо добре дошли да си сътрудничите и да се развивате с нас!ние ще продължим да предоставяме продукт или услуга с високо качество и конкурентна цена.
Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE Детайл:

Технически данни

Диапазон на работната температура Максимална работна температура. Горна, макс.: + 85 ℃ Температура от горна категория: +85 ℃ Температура от долна категория: -40 ℃
диапазон на капацитета 0,1μF～5,6μF
Номинално напрежение

630V.DC～2000V.DC
Cap.tol

±5%(J);±10%(K)
Издържа на напрежение

1.5Un DC/10S
Коефициент на разсейване

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Изолационно съпротивление

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V.DC 60S)

C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток
Продължителност на живота

100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)
Референтен стандарт

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Приложение

1. IGBT демпфер.

2. Широко използван в силовото електронно оборудване, когато пиковото напрежение, защитата от поглъщане на пиков ток.

Контурен чертеж

 

1

 

 

 

 

Аксиален кондензатор SMJ-TE
Волтаж Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9.5 17.5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Волтаж Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17.5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 г 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 г 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Волтаж Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 г 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 г 18.2

 

Волтаж Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 9.5 17.5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 г 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 г 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 г 18.2

 

Волтаж Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

Волтаж Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Капацитет (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 г 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 г 122.4 10.5
0,1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0,22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5
Снимки с подробности за продукта:

Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE детайлни снимки

Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE детайлни снимки

Възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO демпферни кондензатори - CRE детайлни снимки

Ръководство за свързани продукти:
Много богатият опит в управлението на проекти и моделът на услугата "един към един" правят бизнес комуникацията от голямо значение и нашето лесно разбиране на вашите очаквания за възобновяем дизайн за Pcb кондензатор - Аксиални GTO снабберни кондензатори - CRE, Продуктът ще доставя до цял свят, като: Албания, Армения, Кейптаун. Нашите решения са широко признати и се ползват с доверие от потребителите и могат да отговорят на непрекъснато променящите се икономически и социални нужди.Приветстваме нови и стари клиенти от всички сфери на живота да се свържат с нас за бъдещи бизнес отношения и взаимен успех!
    • Разумна цена, добро отношение към консултациите, най-накрая постигаме печеливша ситуация, щастливо сътрудничество! 5 звезди От Хедър от Оман - 2017.08.18 18:38
    Мениджърът на акаунти направи подробно въведение за продукта, така че да имаме цялостно разбиране за продукта и в крайна сметка решихме да си сътрудничим. 5 звезди От Поли от Алжир - 2017.12.09 14:01

    Изпратете вашето съобщение до нас:

    Напишете вашето съобщение тук и ни го изпратете

    Категории продукти

    Изпратете вашето съобщение до нас: