Актуални продукти Кондензатор с четири пина - Метализиран филм IGBT Демпферен кондензатор – CRE

Кратко описание:

Детайли за продукта

Етикети на продукти

Свързано видео

Обратна връзка (2)

Бързи и много добри оферти, информирани консултанти, които ще ви помогнат да изберете правилния продукт, отговарящ на всички ваши предпочитания, кратко време за изработка, отговорно и отлично обслужване и различни услуги за плащане и доставка.Висока устойчивост на Dv/Dt Gto демпфер , Кондензатор Ess , Високочестотен кондензатор за филтриране на променлив токЗа да се възползвате от нашите силни OEM/ODM възможности и внимателно обслужване, моля, свържете се с нас още днес. Ние искрено ще създадем и споделим успех с всички клиенти.

Актуални продукти Кондензатор с четири пина - Метализиран филм IGBT демпферен кондензатор – CRE Детайли:

Технически данни

Работен температурен диапазон	Максимална работна температура, горна, макс.: +105℃ Температура от горна категория: +85℃ Температура от долна категория: -40℃
диапазон на капацитета	0,1 μF～5,6 μF
Номинално напрежение	700V DC～3000V DC
Кап.тол	±5% (Дж) ;±10% (К)
Издържа на напрежение	1.5Un DC/10S
Коефициент на разсейване	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Изолационно съпротивление	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (при 20℃ 100V DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (при 20℃ 100V.DC 60S)
Издържа на ударен ток	具体见规格表
Забавяне на горенето	UL94V-0
Продължителност на живота	100000h (Un; Θгореща точка≤85°C)
Референтен стандарт	IEC61071; GB/T17702;

Напрежение			Un 700V DC, Urms 400V AC; Us 1050V
	Размери (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR при 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 г.	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 г.	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 г.	33


Напрежение			Un 1000V DC, Urms 500V AC; Us 1500V
	Размери (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 г.	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 г.	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 г.	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 г.	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 г.	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Напрежение			Un 1200V DC, Urms 550V AC; Us 1800V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 г.	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 г.	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 г.	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 г.	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 г.	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 г.	32

Напрежение			Un 1700V DC, Urms 575V AC; Us 2250V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 г.	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 г.	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 г.	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 г.	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 г.	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 г.	32

Напрежение			Un 2000V DC, Urms 700V AC; Us 3000V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 г.	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 г.	32

Напрежение			Un 3000V DC, Urms 750V AC; Us 4500V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 г.	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 г.	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600 г.	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Функция

1. Пластмаса, запечатана със смола;

2. Калайдисани медни вложки за кабели, лесен монтаж за IGBT;

3. Устойчивост на високо напрежение, ниско tgδ, ниско повишаване на температурата;

4. ниски нива на ESL и ESR;

5. Висок импулсен ток.

Чрез използването на вътрешни конструкции с ниска индуктивност, опционални корпуси от лята смола и персонализирани терминали, серията SMJ-P е проектирана за бързо превключване на IGBTS и може да служи като демпфери и високочестотни входни филтри с висок ток.

Снимки на детайлите на продукта:

Свързано ръководство за продукти:

Богатият ни опит в управлението на проекти и индивидуалният модел на поддръжка правят комуникацията с бизнеса от голямо значение и лесното ни разбиране на вашите очаквания за модерни продукти: Четирипинов терминален кондензатор - метализиран филмов IGBT демпферен кондензатор – CRE. Продуктът ще се доставя в цял свят, като например: Лион, Мадрид, Люксембург. За да могат клиентите ни да се доверят повече и да получат най-комфортното обслужване, ние управляваме нашата компания с честност, искреност и най-добро качество. Твърдо вярваме, че е наше удоволствие да помагаме на клиентите да управляват бизнеса си по-успешно и че нашите опитни съвети и обслужване могат да доведат до по-подходящ избор за тях.

Персонализиран филмов кондензатор

Решение за сух тип филмов кондензатор

Кондензатор за буфериране на енергия

Четирипинов терминален кондензатор

Филмов кондензатор на добра цена

Висококачествен филмов кондензатор

Филмов кондензатор с висок пулсационен ток

Решение с метализиран филмов кондензатор

Mkp кондензатор