E-mail: info@cre-elec.com
English
  • ббб

Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE

Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE Препоръчано изображение
  • Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE
  • Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE
  • Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE
  • Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE

Кратко описание:


Изтегляне като PDF

Детайли за продукта

Етикети на продукти

Свързано видео

Обратна връзка (2)

Целта ни е да открием качествено обезобразяване от производството и да предоставим най-доброто обслужване на местни и чуждестранни клиенти от все сърце.Решение за сух тип филмов кондензатор , Кондензаторна банка с филмов променлив ток , Кондензатор за захранване с индукционно нагряванеИскрено приветстваме всички гости да създадат малки бизнес асоциации с нас на базата на взаимни положителни аспекти. Свържете се с нас сега. Ще получите нашия професионален отговор в рамките на 8 часа.
Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE Детайли:

Серия SMJ-P

Номинален диапазон на напрежение: от 1000 VDC до 2000 VDC
Диапазон на капацитета: от 0,1 uF до 3,0 uF
Монтажна стъпка: 22,5 мм до 48 мм
Конструкция: Метализиран полипропиленов диелектрик, вътрешна последователна връзка
Приложение: IGBT защита, резонансни вериги

Самовъзстановяващите се, сухи, демпферни кондензаторни елементи са произведени с помощта на специално профилирано, вълнообразно нарязано метализирано PP фолио, което осигурява ниска самоиндуктивност, висока устойчивост на разкъсване и висока надеждност. Изключване при свръхналягане не се счита за необходимо. Горната част на кондензатора е запечатана със самозагасваща екологична епоксидна смола. Специалният дизайн осигурява много ниска самоиндуктивност.

IMG_0397.HEIC

Таблица със спецификации

Напрежение Un 700V DC, Urms 400V AC; Us 1050V
Размери (мм)
Cn(μF) L(±1) Т(±1) H(±1) ESR при 100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ипк(А) Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 г. 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 г. 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 г. 33
Напрежение Un 1000V DC, Urms 500V AC; Us 1500V
Размери (мм)
Cn(μF) L(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) Ирмс
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 г. 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 г. 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 г. 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 г. 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 г. 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Напрежение Un 1200V DC, Urms 550V AC; Us 1800V
Cn(μF) L(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) Ирмс
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 г. 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 г. 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 г. 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 г. 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 г. 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 г. 32
Напрежение Un 1700V DC, Urms 575V AC; Us 2250V
Cn(μF) L(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) Ирмс
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 г. 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 г. 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 г. 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 г. 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 г. 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 г. 32
Напрежение Un 2000V DC, Urms 700V AC; Us 3000V
Cn(μF) L(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) Ирмс
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 г. 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 г. 32
Напрежение Un 3000V DC, Urms 750V AC; Us 4500V
Cn(μF) L(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) Ирмс
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 г. 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 г. 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 г. 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28
Снимки на детайлите на продукта:

Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE детайлни снимки

Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE детайлни снимки

Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE детайлни снимки

Фабрично производство на демпферен кондензатор за IgBT - диелектрик с ниски загуби от полипропиленово фолио Демпферен кондензатор за IGBT приложение – CRE детайлни снимки

Свързано ръководство за продукти:
Придържайки се към убеждението „Създаване на артикули от най-висок клас и създаване на приятелства с хора от цял ​​свят“, ние обикновено поставяме интереса на купувачите на първо място за фабрично производство на демпферни кондензатори за IgBT - нискозагубен диелектрик от полипропиленово фолио, демпферни кондензатори за IGBT приложение - CRE. Продуктът ще се доставя в цял свят, като например: Алжир, Ангуила, Турция. През 11 години сме участвали в повече от 20 изложения, получавайки най-високите оценки от всеки клиент. Нашата компания е посветила на това „клиентът е на първо място“ и се е ангажирала да помага на клиентите да разширят бизнеса си, така че да станат Големите шефове!
    • Ние сме стари приятели, качеството на продуктите на компанията винаги е било много добро, а този път цената също е много ниска. 5 звезди От Рита от Тунис - 21.09.2018 11:44
    Широка гама, добро качество, разумни цени и добро обслужване, модерно оборудване, отлични таланти и непрекъснато укрепващи технологични сили, приятен бизнес партньор. 5 звезди От Виктор Янушкевич от Япония - 2017.12.19 11:10

    Изпратете ни вашето съобщение:

    Напишете съобщението си тук и ни го изпратете

    Категории продукти

    Изпратете ни вашето съобщение: