IGBT/GTO демпферен кондензатор
Каталог на CRE-филмови кондензатори
-
Метализиран филмов кондензатор за резонансна верига SMJ-TE
Аксиален демпферен кондензатор SMJ-TE
IGBT демпфер.
Широко използван в силовото електронно оборудване, когато пиковото напрежение и защитата от абсорбция на пиков ток...Диапазон на капацитета: 0.1μF ~ 5.6μF
Номинално напрежение: 630V DC ~ 2000V DC
Cap.tol: ±5%(J)；±10%(K)
-
Стабилни високоволтови IGBT демпферни кондензатори SMJ-TC
Модел на кондензатор: SMJ-TC
GTO демпфер.
Широко използван в силовото електронно оборудване, когато пиковото напрежение и защитата от абсорбция на пиков ток...Диапазон на капацитета: 0.22μF~3μF
Номинално напрежение: 3000V DC~10000V DC
Cap.tol: ±5%（J）; ±10%（K)
-
Gto кондензатор с амортисьорно фолио за заваръчна машина
Модел на кондензатор: SMJ-TC
Характеристики:
1. Електроди с медни гайки
2. Малък физически размер и лесен монтаж
3. Технология за навиване с майларна лента
4. Запълване със суха смола
5. Ниска еквивалентна последователна индуктивност (ESL) и еквивалентно последователно съпротивление (ESR)
Приложения:
1. GTO демпфер
2. Абсорбция и защита на пиково напрежение и пиков ток за комутационни компоненти в електронно оборудване
Демпферните вериги са от съществено значение за диодите, използвани в импулсни схеми. Те могат да предпазят диода от пикове на пренапрежение, които могат да възникнат по време на процеса на обратно възстановяване.
-
IGBT кондензатор тип Mylar с аксиални изводи за заваръчна машина
Модел на кондензатор: SMJ-TC
Характеристики:
1. Електроди с медни гайки
2. Малък физически размер и лесен монтаж
3. Технология за навиване с майларна лента
4. Запълване със суха смола
5. Ниска еквивалентна последователна индуктивност (ESL) и еквивалентно последователно съпротивление (ESR)
Приложения:
1. GTO демпфер
2. Абсорбция и защита на пиково напрежение и пиков ток за комутационни компоненти в електронно оборудване
Демпферните вериги са от съществено значение за диодите, използвани в импулсни схеми. Те могат да предпазят диода от пикове на пренапрежение, които могат да възникнат по време на процеса на обратно възстановяване.
